プラズマCVD装置 VC-R400G／F
独自のLIATM（低インダクタンスアンテナ）方式プラズマ源を採用し、超高速、高品質な真空成膜を実現
特長
- 実験・研究・評価・試作に最適なCVD装置です。
- LIA™方式の誘導結合型プラズマ（LIA™-ICP) 使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現します。
LIA™について - 多点制御により、より細かな均一性を確保。手動、自動、オプションも多彩です。
- DLC用には、新開発バイアス電源を選択できます。
- 従来比5倍以上の超高速成膜を実現しました。（＊当社比）
- 本機での実証結果は、生産機への展開が容易です。お客様の効率的な開発と量産展開をサポートし、生産性の高い量産環境を実現します。
主な用途
DLC、機能膜、表面改質、表面処理、エッチング、アッシング
装置仕様
| 型式 |
VC-R400G
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VC-R400F
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| 対象基材 |
ガラス板、金属板などの平板
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樹脂フィルム（PET、PEN）、
金属箔 |
| 対象膜 |
DLC、SiN、SiOなど
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| 基材サイズ※ |
W400 x L500 mm
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川幅500㎜
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| 成膜方法 |
デポダウン、静止成膜 （インライン成膜も対応可能）
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| 温調 |
ステージ温調 ＜ 500℃
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※他基材サイズ対応につきましては、お問い合わせください。
※LIAは株式会社イー・エム・ディーの商標または登録商標です。